Hello,
bon je cherchais de la doc sur la fiabilité des CMOS pour le spatial, et j'ai trouvé ce "petit" document traitant particulièrement de la fiabilité de la RAM en 130, 110 et 90nm. http://trs-new.jpl.nasa.gov/dspace/b...PLPUB09-33.pdf
Comme on a tous eu une barette de ram qui a grillé, ça éclaire un peu sur le pourquoi: oxyde de grille qui vieillit super mal.
La conclusion commence page 145, en gros:
Pour une même taille (512mb ici) plus c'est petit mieux ça résiste.
Mais c'est pas très encourageant pour la fiabilité à long terme quand même...
Et c'est dû surtout à la correction d'erreur.
Dernière modification par hellsing ; 13/04/2010 à 17h30.
En fait oui.
Plus c'est petit, plus c'est sensible car la moindre variations va faire changer l'état du bit.
Même si la grille étant plus fine, il y a moins de chance que le rayonnement soit arrêté par la faible épaisseur d'oxyde.
De plus moins ça va tenir dans le temps (oxyde moins résistant au champ électrique, et polarisation plus forte car Vth descend moins vite que Vdd)
Cependant les constructeurs ont proportionnellement plus de place pour intégrer des correction d'erreur, et donc c'est plus fiable.